據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種電容結(jié)構(gòu)、電容陣列、存儲器及電子設(shè)備“，公開號CN117766593A，申請日期為2022年9月。
專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N電容結(jié)構(gòu)、電容陣列、存儲器及電子設(shè)備，電容結(jié)構(gòu)包括至少一個第一極和第二極連接的場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管包括疊層結(jié)構(gòu)、溝道層、柵氧化層和柵極，疊層結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第一極、介質(zhì)層和第二極，且疊層結(jié)構(gòu)上開設(shè)有溝槽，溝槽的開口位于第二極的上表面，溝槽貫穿第二極和介質(zhì)層。溝道層覆蓋溝槽的側(cè)壁和底部，柵氧化層覆蓋溝道層，柵極填充于柵氧化層所限定的區(qū)域且從溝槽中溢出。采用上述場效應(yīng)晶體管構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)可以減小面積開銷，可以增加電容陣列的電路密度，并采用電容陣列作為冗余存儲陣列，可以增加存儲器的存儲密度。
